QSI激光二极管深紫外LEDUVCLED English中文    Nov 4,2024
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QL80R4S-A/B/C/D/E-Z5 808nm 200mw QSI 激光二极管

QL80R4S-A/B/C/D/E-Z5

产品名称:QL80R4S-A/B/C/D/E-Z5 808nm 200mw QSI 激光二极管

产品型号:QL80R4S-A/B/C/D/E-Z5

产品波长:808nm

工作电流:235mA

产品功率:200mW

产品封装:TO-18 (φ5.6mm)

产品应用

- 固态激光器泵浦 - 医疗用途 - 工业用 - 舞台灯光

产品规格

规格书下载: Know

产品详情

♦OVERVIEW
QL80R4S-A/B/C/D/E-Z5 is a MOCVD grown 808nm band laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 200mW for optoelectronic devices
such as solid state laser pumping and medical use.
♦APPLICATION
- Solid State Laser Pumping
- Medical Use
- Industrial Use
♦FEATURES
- Wavelength : λp = 808 nm
- Optical Output Power : 200mW (CW)
- Package Type : TO-18 (φ 5.6mm)

- Polarization : TE (Electric Field Parallel to the Junction Plane)

♦概述
QL80R4S-A/ B / C/ D / E-Z5是量子阱结构的MOCVD生长的808nm波段的激光二极管。
这是一个有吸引力的光源,具有200mW的的光电器件的典型光输出功率
如固体激光器泵浦和医疗使用。
♦应用
- 固态激光器泵浦
- 医疗用途
- 工业用
♦特点
- 波长:λP=808纳米
- 光输出功率:200mW的(CW)
- 封装类型:TO-18(φ5.6毫米)
- 极化:TE(电场平行于结平面)