QSI激光二极管深紫外LEDUVCLED English中文    Mar 19,2024
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TES MOCVD中国代理

-深紫外LED外延生长。 -高质量的AlN、AlGaN生长。 特征: 反应器型式:卧式 加热方式:射频感应 马克斯:1600℃的温度。 晶圆承载能力:3x2英寸或1x4英寸