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QL85J6S-A/B/C-E
产品名称:QL85J6S-A/B/C-E 850nm 40mW 半导体激光二极管 应用于 3D动作识别
产品型号:QL85J6S-A/B/C-E
产品波长:850nm
工作电流:95mA
产品功率:40mW
产品封装:TO-18 (φ5.6mm)
- 传感器 - 工业光模块 - 3D动作识别
规格书下载: Know
♦OVERVIEW
QL85J6S-A/B/C-L is a MOCVD grown 850nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 40mW for industrial optical module
and sensor applications.
♦APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
♦FEATURES
- Visible Light Output : λp = 850 nm
- Optical Power Output : 40mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmφ)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
♦概述
QL85J6S-A/ B/ CL是MOCVD生长的850nm波段的AlGaAs激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源,具有为40mW的工业光模块的典型光输出功率
和传感器应用。
♦应用
- 传感器
- 工业光模块
♦特点
- 可见光输出:λP=850纳米
- 光输出功率:40mW的CW
- 封装类型:TO-18(5.6mmφ)
- 内置光电二极管监测激光二极管