QSI Laser DiodeLG UVLEDLG White LED English中文    Dec 13,2018
产品中心  Product
联系我们  Contact Us

地 址:深圳市罗湖区和平路1085号富临酒店910室

网 址:www.longstartech.com.cn

电 话:0755-2556 9680

传 真:0755-2556 6650

手 机:13316929948

邮 箱:James@longstartech.com.cn

QL83O6S-A/B/C 830nm 100mW 半导体激光二极管

QL83O6S-A/B/C

产品名称:QL83O6S-A/B/C 830nm 100mW 半导体激光二极管

产品型号:QL83O6S-A/B/C

产品波长:830nm

工作电流:185mA

产品功率:100mW

产品封装:TO-18 (φ5.6mm)

产品应用

- 传感器 - 工业光模块 - 3D动作识别

产品规格

规格书下载: Know

产品详情

♦OVERVIEW
QL83O6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 100mW for industrial optical module
and sensor applications.
♦APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
♦FEATURES
- Visible Light Output : λp = 830 nm
- Optical Power Output : 100mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmφ)

- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

♦概述
QL83O6S-A/ B/ C是MOCVD生长830nm的频带的AlGaAs激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源,具有100mW的的工业光模块的典型光输出功率
和传感器应用。
♦应用
- 传感器
- 工业光模块
♦特点
- 可见光输出:λP=830纳米
- 光输出功率:100mW的CW
- 封装类型:TO-18(5.6mmφ)
- 内置光电二极管监测激光二极管