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QL83J6S-A/B/C 830nm 50mW 半导体激光二极管

QL83J6S-A/B/C

产品名称:QL83J6S-A/B/C 830nm 50mW 半导体激光二极管

产品型号:QL83J6S-A/B/C

产品波长:830nm

工作电流:75mA

产品功率:50mW

产品封装:TO-18 (φ5.6mm)

产品应用

- 传感器 - 工业光模块 - 3D动作识别

产品规格

规格书下载: Know

产品详情

¨OVERVIEW
QL83J6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 50mW for industrial optical module
and sensor applications.
¨APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
¨FEATURES
- Visible Light Output : lp = 830 nm
- Optical Power Output : 50mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmf)

- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

概观
QL83J6S-A/ B/ C是MOCVD生长830nm的频带的AlGaAs激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源,具有50mW的的工业光模块的典型光输出功率
和传感器应用。
应用
- 传感器
- 工业光模块
特征
- 可见光输出:LP=830纳米
- 光输出功率:50mW的CW
- 封装类型:TO-18(5.6mmf)
- 内置光电二极管监测激光二极管