地 址：深圳市罗湖区和平路1085号910
网 址：www.longstartech.com.cn
电 话：0755-2556 9680
传 真：0755-2556 6650
手 机：13316929948
邮 箱：James@longstartech.com.cn
QL83F6S-A/B/C
产品名称：QL83F6S-A/B/C 830nm 10mW QSI激光二极管
产品型号：QL83F6S-A/B/C
产品波长：830nm
工作电流：30mA
产品功率：10mW
产品封装：TO-18 (φ5.6mm)
- 医疗应用，红外传感器，3D动作识别
规格书下载： Know
¨OVERVIEW
QL83F6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band GaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 10mW for Medical applications.
¨APPLICATION
- Medical applications, IR Sensor
¨FEATURES
- Visible Light Output : lp = 830 nm
- Optical Power Output : 10mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmf)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
概观
QL83F6S-A/ B/ C是MOCVD生长830nm的波段砷化镓激光量子阱结构二极管。
这是一个有吸引力的光源，具有10毫瓦的医疗应用中，典型的光输出功率。
应用
- 医疗应用，红外传感器
特征
- 可见光输出：LP=830纳米
- 光输出功率：10mW的CW
- 封装类型：TO-18（5.6mmf）
- 内置光电二极管监测激光二极管
