QSI激光二极管深紫外LEDUVCLED English中文    Mar 29,2024
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QL80T4H-A/B/C/D/E-Y 808nm 1W QSI激光二极管

QL80T4H-A/B/C/D/E-Y

产品名称:QL80T4H-A/B/C/D/E-Y 808nm 1W QSI激光二极管

产品型号:QL80T4H-A/B/C/D/E-Y

产品波长:808nm

工作电流:250mA

产品功率:1W

产品封装:TO-5 (φ9mm)

产品应用

- 固态激光激发 - 医疗用途 - 物质过程 - 测量 - 舞台灯光

产品规格

规格书下载: Know

产品详情

♦OVERVIEW
QL80T4H-A/B/C/D/E-Y is a MOCVD grown 808nm band laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 1W for optoelectronic devices
such as solid state laser pumping and medical use.
♦APPLICATION
- Solid state laser excitation
- Medical use
- Material processes
- Measurement
♦FEATURES
- Optical Output Power : 1W CW
- Package Type : TO-5 (φ 9mm)

- Polarization : TM ( Electric Field Perpendicular to the Junction Plane )

♦概述
QL80T4H-A/ B/ C / D/ EY与量子阱结构的MOCVD生长的808nm波段的激光二极管。
这是一个有吸引力的光源,具有1W的光电器件的典型光输出功率
如固体激光器泵浦和医疗使用。
♦应用
- 固态激光激发
- 医疗用途
- 物质过程
- 测量
♦特点
- 光输出功率:1W CW
- 封装类型:TO-5(φ9毫米)
- 极化:TM(电场垂直于结平面)