- ◆ 材料类
- ALN TEMPLATE
- GAN TEMPLATE
- ◆ 外延类
- 硅基2'' 4'' 6'' LED外延
- AlGan基 2'' 4'' LED外延
- ◆ 灯珠/芯片类
- 3535 UVCLED
- 4545UVCLED
- 3535 UVBLED
- 4545UVBLED
- VCSEL/EEL芯片
- SMD贴片
- ◆ QSI激光类
- 635nm
- 650nm
- 395nm
- 670nm
- 680nm
- 780nm
- 808nm
- 850nm
- 830nm
- 905nm
- ◆ 夏普激光类
- 385nm
- 395nm
- 405nm
- 425nm
- 395-414nm
- 430-450nm
- 435nm
- 440nm
- 450nm
- 480nm
- 487nm
- 505nm
- 515nm
- 518nm
- 520nm
- 525nm
- 638nm
- 639nm
- 640nm
- 660nm
- 661nm
- 780nm
- ◆ 欧司朗激光类
- 405nm
- 445nm
- 450nm
- 510nm
- 520nm
- ◆ 设备类
- TES MOCVD
- 一秒光杀菌产品
- 点光源
- 面光源
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QL80T4H-A/B/C/D/E-Y
产品名称：QL80T4H-A/B/C/D/E-Y 808nm 1W QSI激光二极管
产品型号：QL80T4H-A/B/C/D/E-Y
产品波长：808nm
工作电流：250mA
产品功率：1W
产品封装：TO-5 (φ9mm)
- 固态激光激发 - 医疗用途 - 物质过程 - 测量 - 舞台灯光
规格书下载： Know
♦OVERVIEW
QL80T4H-A/B/C/D/E-Y is a MOCVD grown 808nm band laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 1W for optoelectronic devices
such as solid state laser pumping and medical use.
♦APPLICATION
- Solid state laser excitation
- Medical use
- Material processes
- Measurement
♦FEATURES
- Optical Output Power : 1W CW
- Package Type : TO-5 (φ 9mm)
- Polarization : TM ( Electric Field Perpendicular to the Junction Plane )
♦概述
QL80T4H-A/ B/ C / D/ EY与量子阱结构的MOCVD生长的808nm波段的激光二极管。
这是一个有吸引力的光源，具有1W的光电器件的典型光输出功率
如固体激光器泵浦和医疗使用。
♦应用
- 固态激光激发
- 医疗用途
- 物质过程
- 测量
♦特点
- 光输出功率：1W CW
- 封装类型：TO-5（φ9毫米）
- 极化：TM（电场垂直于结平面）
