- ◆ 材料类
- ALN TEMPLATE
- GAN TEMPLATE
- ◆ 外延类
- 硅基2'' 4'' 6'' LED外延
- AlGan基 2'' 4'' LED外延
- ◆ 灯珠/芯片类
- 3535 UVCLED
- 4545UVCLED
- 3535 UVBLED
- 4545UVBLED
- VCSEL/EEL芯片
- SMD贴片
- ◆ QSI激光类
- 635nm
- 650nm
- 395nm
- 670nm
- 680nm
- 780nm
- 808nm
- 850nm
- 830nm
- 905nm
- ◆ 夏普激光类
- 385nm
- 395nm
- 405nm
- 425nm
- 395-414nm
- 430-450nm
- 435nm
- 440nm
- 450nm
- 480nm
- 487nm
- 505nm
- 515nm
- 518nm
- 520nm
- 525nm
- 638nm
- 639nm
- 640nm
- 660nm
- 661nm
- 780nm
- ◆ 欧司朗激光类
- 405nm
- 445nm
- 450nm
- 510nm
- 520nm
- ◆ 设备类
- TES MOCVD
- 一秒光杀菌产品
- 点光源
- 面光源
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QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7
产品名称：QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7 808nm 200mW 激光二极管
产品型号：QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7
产品波长：808nm
工作电流：280mA
产品功率：200mW
产品封装：TO-18 (φ5.6mm)
- 固态激光器泵浦 - 医疗用途 - 工业用 - 舞台灯光
规格书下载： Know
¨OVERVIEW
QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7 is a MOCVD grown 808nm band laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 200mW for optoelectronic devices
such as solid state laser pumping and medical use.
¨APPLICATION
- Solid State Laser Pumping
- Medical Use
- Industrial Use
¨FEATURES
- Wavelength : lp = 808 nm
- Optical Output Power : 200mW (CW)
- Package Type : TO-18 (f 5.6mm)
- Polarization : TM (Electric Field Vertical to the Junction Plane)
概观
QL80R4S-A/ B / C/ D / E-Z7与量子阱结构的MOCVD生长的808nm波段的激光二极管。
这是一个有吸引力的光源，具有200mW的的光电器件的典型光输出功率
如固体激光器泵浦和医疗使用。
应用
- 固态激光器泵浦
- 医疗用途
- 工业用
特征
- 波长：LP=808纳米
- 光输出功率：200mW的（CW）
- 封装类型：TO-18（F5.6毫米）
- 极化：TM（电场垂直于结平面）
