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QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7 808nm 200mW 激光二极管

QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7

产品名称:QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7 808nm 200mW 激光二极管

产品型号:QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7

产品波长:808nm

工作电流:280mA

产品功率:200mW

产品封装:TO-18 (φ5.6mm)

产品应用

- 固态激光器泵浦 - 医疗用途 - 工业用 - 舞台灯光

产品规格

规格书下载: Know

产品详情

¨OVERVIEW
QL80R4S-A/B/C/D/E-Z7 is a MOCVD grown 808nm band laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 200mW for optoelectronic devices
such as solid state laser pumping and medical use.
¨APPLICATION
- Solid State Laser Pumping
- Medical Use
- Industrial Use
¨FEATURES
- Wavelength : lp = 808 nm
- Optical Output Power : 200mW (CW)
- Package Type : TO-18 (f 5.6mm)

- Polarization : TM (Electric Field Vertical to the Junction Plane)

概观
QL80R4S-A/ B / C/ D / E-Z7与量子阱结构的MOCVD生长的808nm波段的激光二极管。
这是一个有吸引力的光源,具有200mW的的光电器件的典型光输出功率
如固体激光器泵浦和医疗使用。
应用
- 固态激光器泵浦
- 医疗用途
- 工业用
特征
- 波长:LP=808纳米
- 光输出功率:200mW的(CW)
- 封装类型:TO-18(F5.6毫米)
- 极化:TM(电场垂直于结平面)