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第十五届全国MOCVD学术会议在井冈山盛大开幕
更新日期:2018-8-27    来源:www.longstartech.com.cn

三十年的传承与积淀,两年一次的相聚与畅谈,是重逢,更是见证!8月22日,第十五届全国MOCVD学术会议在红色革命根据地井冈山衡山大酒店盛大开幕。

中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授,中国科学院院士、中科院微电子所刘明研究员,MOCVD技术的开拓者之一、美国科学院院士佐治亚理工学院Russell Dupuis教授,科技部高新司原司长、第三代半导体产业技术创新战略联盟顾问委员会常务副主任赵玉海先生,科技部高新司副司长曹国英先生,科技部高技术中心副主任卞曙光先生,科技部高技术中心材料处处长史冬梅女士,科技部高新司材料处调研员李志农先生,国家自然科学基金委信息四处处长潘庆先生,江西省科技厅副厅长赵金城先生,中国有色金属学会副理事长兼秘书长张洪国先生,中国有色金属学会常务副秘书长金锐先生,国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲女士,厦门大学校长张荣教授,南昌大学校长周创兵教授,半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中科院半导体所李晋闽研究员,发光学及应用国家重点实验室主任,中科院长春光机物理所申德振研究员,北京大学沈波教授,山东大学徐现刚教授,中科院苏州纳米所徐科研究员,此外还有葛惟昆教授、范广涵教授、杜国同教授、张国义教授、王向武教授等等一批业界资深教授和一大批优秀中青年学者出席本次会议。来自MOCVD技术领域国内外顶级专家、机构嘉宾、学者、企业家代表500余人参与本次学术盛会。大会开幕式由南昌大学副校长江风益教授主持。


南昌大学副校长江风益教授主持开幕式


“一代材料,一代器件,一代工艺,一代装备”。古往今来,国与国之争,实质是装备制造业之争。装备强则国强。当前阶段,高端装备与核心装置是“大国重器”,是我国成为制造强国的基础。中美贸易战开始以来,高端装备之争更是上升为大国之间博弈的核心和不可或缺的利器。


尤其在《中国智能制造“十三五”规划》中提出十大重点任务,其中一个就是加快智能制造装备发展,攻克关键技术装备,提高质量和可靠性,推进在重点领域的集成应用。政府还要推动重点领域智能转型,在《中国制造2025》十大重点领域试点建设数字化车间/智能工厂,在传统制造业推广应用数字化技术、系统集成技术、智能制造装备。到2020年,我国将建立完善的智能制造装备产业体系,实现装备的智能化及制造过程的自动化。


本届会议由国家科学技术部指导,江西省科学技术厅支持,中国有色金属学会主办,南昌大学、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家硅基LED工程技术研究中心、半导体照明联合创新国家重点实验室共同承办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司协办,中微半导体、北方华创微电子、AIXTRON SE、隆兴达科技、昂坤视觉、华邦化学、中镓半导体、中晟光电、马尔文帕纳科、德仪、先普半导体、上海汇析、苏州纳维科技、阿美特克、维易科、中拓光电、颐光科技、桂林雷光等企业积极参与。会议围绕“MOCVD与智能光电”这一主题能够开展广泛交流,了解发展动态,促进相互合作。



江风益教授在介绍与会嘉宾代表时特别介绍,其中有一位业界资深教授自第一届全国MOCVD学术会议一直参加至今,他就是国内最先从事氮化镓蓝色LED发光材料研究(1972年起)和MOCVD技术研究(1982年起)的著名光电子专家,是中国LED研究应用的开拓者——范广涵教授。三十年的每次重逢,也是见证者。正是有这样诸多业界资深教授的参与和推动,见证了我国MOCVD技术与装备的发展。
 

南昌大学刘军林教授

南昌大学刘军林教授代表组委会介绍了本届会议筹办情况,他介绍说,本届会议为期三天,包含开闭幕式两场大会,激光器材料与器件、LED及探测器材料与器件、电力电子器件及其他器件及应用四个主题分会。其中邀请报告42个,口头报告73个。根据注册统计数据显示参会代表超过500人,来自国内外60余个单位机构。本届会议参收到论文投稿200余篇,经过专家评审有100篇优秀论文遴选为会议现场POSTER展示。


中国有色金属学会副理事长兼秘书长张洪国,南昌大学校长周创兵教授,国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲女士,江西省科技厅副厅长赵金城先生,国家自然科学基金委信息四处处长潘庆先生和科技部高新司副司长曹国英先后为大会致开幕词。

张洪国秘书长表示,MOCVD技术广泛应用于制备氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构,极大地推动了光电器件和电子器件的发展及产业化,也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。“全国MOCVD学术会议”作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台,自1989年第一届会议举办以来,已经成功举办了十四届,会议规模和影响力越来越大,成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。希望与会专家及青年学者、企业家们能通过会议了解发展动态,促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。


南昌大学校长周创兵教授


周创兵教授致辞时表示,南昌大学MOCVD技术发展已有23年的历史。由于得到科技部、工信部、教育部、国家基金委等中央政府部门和江西省、南昌市、南昌高新区的大力支持,我校MOCVD事业得到了快速发展。从MOCVD设备的设计与制造、材料生长、芯片制作、器件封装、到产品应用和性能表征这6大块,我校均拥有一流的硬件条件和良好的技术积累。我校把MOCVD设备与工艺进行深度融合,把硅和氮化镓这两种材料有机结合,突破了氮化镓基LED材料和芯片制造技术,推出了高效节能、光束质量高的LED新光源,实现了产业化;继蓝光技术突破后,研制成功高铟组分、生产型MOCVD设备,由此创造了黄光LED光效新记录。今天,我校也带来了基于黄光LED的新产品,请技术人员展示一下。该路灯,没用荧光粉,其色调接近传统高压钠灯,其示范应用效果,得到了市政和市民好评。这一具有里程碑意义的新突破,将为LED和半导体照明技术和产业带来新的活力、拓展新的应用,将为我国经济的高质量发展作出新贡献。


国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲


国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲表示,中国半导体照明产业从无到有,从小到大,LED芯片的国产化率达到80%以上。希望未来有一天能真正实现产业强国。目前第三代半导体产业发展就像十年前半导体照明产业一样,可以看出未来潜在巨大需求。为此在科技部、国家基金委和国家十三五重点专项都给予了支持和部署。面对中美贸易磨擦,在座的年轻人共同承担起的责任,不仅要补齐短板,还要发展自己长项。三十年弹指一挥间,半导体照明人整整做了十五年,但好像就在昨天。第三代半导体再过十五年,一定为人类绿色低碳可持续发展做出我们的贡献。


江西省科技厅副厅长赵金城


江西省科技厅副厅长赵金城表示,在科技部等部委的大力支持下,我省MOCVD技术取得了长足进步,涵盖了从MO源、MOCVD设备、到MOCVD材料生长、芯片制造、器件封装和产品应用等全产业链的研发和生产工作,覆盖了红橙黄绿青蓝紫七彩色发光器件。其中,南昌大学实现了MOCVD装备与工艺深度融合,成功地在硅衬底上生长了高光效蓝光、绿光和黄光LED,实现了产业化,为LED和半导体照明产业的高质量发展带来了新的活力和拓展了新的应用。南昌大学半导体照明技术创新团队,经过20多年的艰苦奋斗,取得了今天的创新成果。希望未来在科技创新领域践行了“坚定执着追理想,实事求是闯新路,艰苦奋斗攻难关,依靠群众求胜利”的井冈山精神。在科技创新的过程中,不忘初心、坚定执着、实事求是、敢闯新路、艰苦奋斗、攻坚克难、依靠团队、求得胜利!


国家自然科学基金委信息四处处长潘庆


国家自然科学基金委信息四处处长潘庆表示,国家基金委一直鼓励和支持重大科技项目的研发。本届MOCVD学术会议所设四个主题分会也正是基金委项目所覆盖的领域,希望与会的专家青年学者能积极申请科研项目,通过申请科研项目为我国半导体领域的科技进步与创新研发共促产业的快速发展。


科技部高新司副司长曹国英


科技部高新司副司长曹国英在致辞中指出,科技强国意味着很多关键装备、关键材料和关键技术都要强。同时更重要在体制和机制创新下,让更多年轻人脱颖而出。“树欲静而风不止”我们一直在谋划科技强国,而西方发达国家一直在制约着我们科技的发展。经过梳理会发现,其中半导体领域尤为突出,MOCVD技术就是其中一个关键技术。雄关漫道真如铁,而今迈步从头越。我们未来不仅要补齐短板,更要发展自己长板,未来的科技进步和突破更是要依仗大家。



随后在主题报告环节,厦门大学校长张荣教授和中科院长春光机物理所申德振研究员共同主持。来自中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了“氮化物与超宽禁带半导体电子发展与展望”。MOCVD技术的开拓者之一、美国科学院院士佐治亚理工学院Russell Dupuis教授介绍了“照亮世界:金属有机化学气相沉积III-V族化合物半导体器件”主题报告;中国科学院院士、中科院微电子所刘明研究员介绍了“超宽禁带氧化镓半导体器件”报告;厦门大学校长张荣教授带来了“Ⅲ族氮化物半导体的制备与纳米结构发光器件研究 ”主题报告;半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中科院半导体所李晋闽研究员分享了“紫外LED的产业机遇与技术挑战”主题报告。


 中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授


其中,郝跃院士报告前首先以毛泽东同志诗词《西江月·井冈山》中“山下旌旗在望,山头鼓角相闻。敌军围困万千重,我自岿然不动。早已森严壁垒,更加众志成城。”开篇暗示我国半导体科技界正经历西方发达国家发起的贸易战,我们更要任凭敌军团团围困,我依然岿然不可撼动。整饬的防御工事已严阵以待,所以更加团结一心如筑成的堡垒。同时也用诗词《水调歌头,重上井冈山》中“世上无难事,只要肯登攀。”勉励在做青年科研人员投身国家科技强国建设。

中国科学院院士、中科院微电子所刘明研究员介绍了“超宽禁带氧化镓半导体器件”报告

MOCVD技术的开拓者之一、美国科学院院士佐治亚理工学院Russell Dupuis教授介绍了“照亮世界:金属有机化学气相沉积III-V族化合物半导体器件”主题报告

厦门大学校长张荣教授带来了“Ⅲ族氮化物半导体的制备与纳米结构发光器件研究 ”主题报告。

半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中科院半导体所李晋闽研究员分享了“紫外LED的产业机遇与技术挑战”主题报告。


此外,大会同期“激光器材料与器件”、“LED及探测器材料与器件”、“电力电子器件”及“其他器件及应用”四个主题分会同样是特邀报告和口头报告前沿研究交相辉映,让与会的嘉宾和青年科研代表享受到MOCVD技术“科研盛宴”。